CMOS工藝：霍爾開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部集成了上百個(gè)甚至上千個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管。

Bipolar工藝：霍爾開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部集成了上百個(gè)甚至上千個(gè)三極管。

CMOS工藝優(yōu)點(diǎn)：啟動(dòng)電壓低，功耗低，一致性好，溫度范圍大。

CMOS工藝缺點(diǎn)：抗干擾能力弱，抗靜電能力弱，需做特殊的靜電保護(hù)。

Bipolar工藝優(yōu)點(diǎn)：可靠性高，抗干擾能力強(qiáng)，抗靜電能力強(qiáng)。

Bipolar工藝缺點(diǎn)：啟動(dòng)電壓高，功耗高，一致性較差（需要做特殊篩選），溫度范圍較窄（需在電路內(nèi)部做溫度補(bǔ)償，然后經(jīng)過(guò)特殊篩選才能擴(kuò)大溫度范圍）霍爾傳感器IC按工藝可分為CMOS工藝及Bipolar工藝。